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NXP Semiconductors
PESDxS4UD series
Quadruple ESD protection diode arrays in a SOT457 package
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
P PP
peak pulse power
t p = 8/20 μ s
[1][2]
-
200
W
I PP
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
[1][2]
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
-
-
-
-
-
20
20
10
6
4
A
A
A
A
A
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4 or 6 to 2 or 5
Table 6.
ESD maximum ratings
Symbol
V ESD
Parameter
electrostatic discharge voltage
Conditions
IEC 61000-4-2
[1][2]
Min
Max
Unit
(contact discharge)
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxS4UD series
HBM MIL-STD-883
-
10
kV
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1, 3, 4 or 6 to 2 or 5
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
PESDXS4UD_SER_2
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
HBM MIL-STD-883; class 3
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 10 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 August 2009
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